碳化硅陶瓷為什么能成為第三代半導體材料

在現(xiàn)代社會中科技的發(fā)展是越來越快，各個行業(yè)對材料的要求是越來越高尤其是半導體行業(yè)的材料碳化硅就是其中之一，下面我們就細說一下碳化硅陶瓷為什么能成為第三代半導體材料。在現(xiàn)代社會中電子產(chǎn)品相關(guān)的如電子行業(yè)，芯片、等半導體領(lǐng)域的產(chǎn)品占比越來越重，同時伴隨著科技進步，材料學也會推陳出新，至今以發(fā)展至第三代半導體材料。

作為第三代半導體材料的碳化硅與普通的硅材料相比，它的優(yōu)勢是非常明顯，在材料上克服了普通硅材料的一些缺點，在功耗上的表現(xiàn)也是讓人非常滿意，所以在電子領(lǐng)域上是目前最具有發(fā)展前景的半導體材料，它有著較大的禁帶寬度，較高的擊穿電場、導熱率、抗輻射能力等特性，這些特性讓它也適用于高溫、高頻、高壓的應(yīng)用類型。

高溫：碳化硅陶瓷的器件需要耐高壓、低損耗率、以及高效等特性，被視為理想材料而受期待。通常在1000°C及以下時它能保證優(yōu)異的性能，1000°C-1400°C性能會有所下降，但是還能繼續(xù)使用，1400°C-1600°C對性能有著較大的影響，后續(xù)需要檢查性能。

高頻：普通的硅材料在200°C時性能會不穩(wěn)定，但是碳化硅在250°C的高溫還能保持穩(wěn)定，憑著在極端條件下的穩(wěn)定性，可在電動車、充電樁、馬達驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域有著出色的表現(xiàn)

高壓：碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在同等情況下能承受硅結(jié)構(gòu)件的10倍的壓力，其中碳化硅肖特基管它的耐壓更是達到2400V，由此可見碳化硅陶瓷的耐壓性。

成本以及性價比：雖說碳化硅陶瓷的生產(chǎn)及加工成本較高，但是隨著規(guī)?；?，以及科技、加工技術(shù)、加工工藝的變化它的成本會逐漸降低，這會讓它極具性價比，讓其成為極具競爭力的材料。

總結(jié)

綜上所述碳化硅陶瓷憑借優(yōu)異的性能及特性在半導體行業(yè)中占據(jù)著一席之地，并且隨著技術(shù)的進步這個占比還會逐漸加重，讓其成為第三代半導體材料的佼佼者，鈞杰陶瓷是高品質(zhì)碳化硅陶瓷產(chǎn)品加工制造商，我們在技術(shù)陶瓷制造工藝的廣泛專業(yè)知識，可以提供精密定制的陶瓷元件。